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| 品牌 | TOSHIBA | 型号 | SK35632 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 9（V） |
| 跨导 | 7（μS） | 极间电容 | 9（pF） |
| 低频噪声系数 | 87（dB） | 最大漏极电流 | 7（mA） |
| 最大耗散功率 | 6（mW） |
